Дифрактометр рентгеновский Ultima IV

(Rigaku, Япония, www.rigaku.com)

4-issledovatelskoe

Технические характеристики

Источник излучения: малогабаритный с использованием высокочастотного преобразователя, максимальная мощность – 3кВт, напряжение на трубке – 20-60 кВ, ток трубки – 2-60 мА, материал анода трубки – Cu.

Гониометр: Θ/Θ вертикального типа, образец неподвижен. Радиус гониометра – 185 мм /285 мм; диапазон углов сканирования в режиме связанных осей Θsd от -30 до +162º (2Θ); шаг сканирования для оси Θs или Θd 0,0001 – 6º. Щели: фиксированные стандартный комплекта щелей Соллера (0,5 градуса) для работы в фокусирующей геометрии и геометрии псевдопараллельного пучка; фиксированные щели для малоуглового рассеяния и рефлектометрии. Юстировка: полностью автоматическая для гониометра, амплитудного дискриминатора, счетчика, оптических узлов и дополнительных приставок. Для геометрии параллельного пучка (Cross beam optics). Монохроматор: Ge(220) кристалл-монохроматор 2-кратного отражения, монохроматор на дифрагированном пучке.

Детектор: Сцинтилляционный счетчик с линейностью 700 000 импульсов.

Дополнительные принадлежности: узлы для установки оптических компонентов, аттенюатор для регулировки интенсивности пучка, поглотители, селективно-поглощающие фильтры.

Требования к образцам. Прибор позволяет проводить анализ поликристаллических образцов, порошков, пластин, жидких проб, монокристаллов. Материалы не должны быть радиоактивны. Поверхность образцов желательно полированная без остаточных напряжений.

Методы. Анализ тонких пленок – толщина, текстура / ориентация, качество интерфейса, структурное совершенство, плотность, деформация / напряжение.

Порошковая дифрактометрия – фазовый анализ, оценка степени кристалличности, размер кристаллитов / анализ остаточных напряжений, прецизионные измерения параметров решетки, анализ по методу Ритфельда.

Программное обеспечение – качественный и количественный анализ; база данных дифрактограмм ICDD PDF-2; кристалличность; анализ остаточных напряжений; построение прямых и обратных полюсных фигур; расчет параметров кристаллической решетки.

Область применения. Материаловедение, материалы для микроэлектроники, наноматериалы, изучение свойств материалов и контроль качества в исследовательских целях и на производстве.