Настольный электронный микроскоп SemTrac mini

(Microtrac Inc., США, www.microtrac.com)

3-issledovatelskoe

Технические характеристики

Основные параметры комплекса

Микроскоп предназначен для автоматизированного получения изображения поверхности объекта с высоким пространственным разрешением.

Режим низкого вакуума позволяет исследовать непроводящие образцы без предварительного напыления проводящего слоя.

Для использования электронного микроскопа не требуется специальной подготовки помещений. Функции автоматической настройки фокуса и контраста позволяют начать работу сразу же после включения микроскопа.

Разрешение во вторичных электронах: 15 нм (при ускоряющем напряжении 30 кВ, рабочее расстояние 8 мм). Увеличение: до 30 000×. Ускоряющее напряжение от 1 до 30 кВ. Режим наблюдения: высоковакуумный / низковакуумный. Детектор вторичных и отраженных электронов. Вольфрамовый катод.

Приставка рентгеноструктурного микроанализа. Обеспечивает проведение качественного и количественного рентгеновского микроанализа: размер активной области – 10 мм2; разрешение 128 эВ на MnKα и 75 эВ на F; виброзащищенный детектор рентгеновского излучения, выполненного на основе технологии кремниевых дрейфовых сенсоров.

Требования к образцам: диаметр 75 мм; высота 30 мм; перемещение по осям X и Y – ±10 мм; область наблюдения 35 мм2.

Методы. Исследование топографии и структуры поверхности методом РЭМ, получение изображения во вторичных и обратно-рассеянных электронах. Рентгеноспектральный микроанализ элементного состава.

Область применения. В областях промышленности и науки, где необходимы исследования структуры поверхности образцов и анализ элементного состава.