Малогабаритная вакуумная установка реактивно-ионного травления МВУ ТМ РИТ

(НИИ точного машиностроения, Россия, www.niitm.ru)

11

Технические характеристики

Установка предназначена для учебных целей.

Индивидуальная обработка подложек до Ø150 мм (100×100 мм); откачка реактора до предельного разряжения 0,5 Па; поддержание стабильности ВЧ разряда в диапазоне рабочих давлений 2÷30 Па; изменение ВЧ смещения на ВЧ электроде – подложкодержателе в диапазоне от 0 до 1 000 В; регулирование и автоматическое поддержание уровня ВЧ мощности в диапазоне 30÷200 Вт; водяное охлаждение подложкодержателя.

Область применения. Установка предназначена для травления тонких диэлектрических (SiO2, Si2N4) и металлических слоёв (Мо, Cr и др.), а также полупроводниковых материалов (GaAs, Si и др.) методом плазмохимического реактивно-ионного травления.