Молекулярно-лучевая эпитаксия Riber 21 T 3-5

(Riber, Франция, www.riber.com)

1-molekulyarno-luchevaya-epitaksiya-riber-21-t-3-5

Технические характеристики

Установка состоит из 3-х вакуумных камер: камера роста, камера подготовки, камера загрузки. Все камеры оснащены системами безмаслянной откачки и разделены между собой высоковакуумными затворами.

Камера роста предназначена для ведения процесса. Максимальный диаметр используемой подложки для нанесения эпитаксиальных слоев 76 мм. Предельное давление в камере не более 5·10-7 торр. Для обезгаживания камера роста оснащена парусной системой прогрева до 200°С. Держатель подложки, расположенный внутри камеры роста, снабжен системой нагрева до 750°С. Подложка может непрерывно вращаться со скоростью до 40 об/мин. Камера роста оснащена внутренней криопанелью с охлаждением жидким азотом с расходом в момент роста слоев до 50 литров в час. Имеется 5 источников молекулярных потоков, расположенных внутри камеры. Камера роста оснащена:

  • эффузионной ячейкой для галлия, индия, алюминия – объем тигля 60 см3, максимальная температура нагрева тигля 1400°С;
  • вентильным источником металлического мышьяка с крекингсистемой – объем тигля 550 см3, максимальная температура тигля 500°С, системы крекинга 1200°С.

Камера подготовки предназначена для хранения и предварительной обработки подложек. Предельное давление в камере подготовки не более 5·10-10 торр. Для обезгаживания камеры подготовки имеется наружная система нагрева до 150°С, для подготовки подложки камера оснащена внутренним нагревателем до 450°С.

Камера загрузки предназначена для шлюзования подложек в камеру подготовки. Предельное давление в камере 5·10-10 торр. Система управления контролирует процессы откачки, поддержание переменных температур и других характеристик.

Метод. Молекулярно-лучевая эпитаксия гетероструктур группы А3В5 на подложках GaAs, InP. Диаметр до 75 мм (3 дюйма).

Область применения: нано – и микроэлектроника, СВЧ электроника, сенсоры.

Получаемые опытные образцы. Гетероструктуры на подложках GaAs.