Система безмасковой лазерной литографии DWL 66FS

(Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH, Германия, www.himt.de)

3

Ключевые параметры системы

Подложки до 200×200 мм2. Структуры до 0,6 мкм. Вспомогательная адресная сетка до 50 нм. Множественные режимы рисования. Векторный и растровый режимы экспонирования. Наличие камеры для ориентации (совмещения). Камера искусственного климата. Сменные пишущие головки. Лазерный источник – лазерный диод (405 нм). Оптический автофокус. Множественные форматы исходных данных (DXF, CIF, GDSII, Gerber, BMP, Ascii, STL).

Технические характеристики
Режим записи I II III IV V
Адресная сетка, нм 50 100 125 250 500
Минимальный размер структуры, мкм 0,6 1,0 2,5 5,0 10,0
Скорость записи, мм2/мин 3,0 10 36 119 416
Неровность контура 3s, нм 60 80 120 180 280
Однородность по глубине 3s, нм 80 100 220 440 880
Точность совмещения 3s, нм 200 250 500 1000 2000

 

Методы. Система высокопрецизионной безшаблонной литографии с использованием лазерной литографии. Может использоваться для нанесения маски или прямого экспонирования на любой плоской поверхности покрытой фоторезистом. Запись рисунка выполняется с использованием растровой и сканирующей технологий. Подложки механически перемещаются под пишущей линзой в одной плоскости, пока луч сканирует в поперечном направлении. Из-за стратегии рисования экспонирование не зависит от сложности особенностей рисунка. Возможность измерения ширины, наложения и размещения рисунка.

Область применения. Применение: микронная и субмикронная литография; формирование рисунка бланков фотомасок, а также прямое формирование рисунка на подложке до 200 мм в диаметре. Создание шаблонных заготовок с различной топологией рисунка для фотолитографии. Области производства: создание транзисторов и монолитных интегральных схем; светодиоды; фотонные кристаллы; одномерные проводники. Формирования топологических структур на металлизированных фотошаблонах при производстве интегральных схем, гибридных интегральных схем, а также для формирования структур на пластине, при производстве МЭМС, БиоМЭМС, интегрированной оптики и др.