Установка контактной литографии микросхем Suss MJB4

(SUSS MicroTec, Германия, www.suss.com)

4

Технические характеристики

Экспонирование высокого разрешения – до 0,5 микрон. Размер обработки пластин и подложек – до 100 мм диаметром (пластины) и до 100×100 мм (подложки). Специальные держатели для кусков пластин, АIIIБV, толстых подложек, гибридных схем и ВЧ. Высокоточная юстировка на плоскости и манипулятора микроскопа. Возможность конфигураций оптики интенсивной УФ и экспозиций с длиной волны до 80 мВт/см2.

Система экспонирования позволяет работать на длинах волны 250, 300 и 400 нм без замены лампового блока. Разрешающая способность электронной колонны (при WD=2-10 мм) не хуже, чем 1,1 нм при 20 000 В. Минимальный размер получаемого элемента поверхности в пределах 15-20 нм.

Методы. Установка обеспечивает следующие методы контакта:

Низковакуумный. Для маленьких и хрупких подложек используется экспонирование при низковакуумном контакте. При этом виде контактирования снижается нагрузка по подложку. Достигается разрешение, превышающее параметры при мягком и жестком контакте. Мягкий контакт. При этом виде контактирования MJB4 может достигать разрешения в 2 микрона.

Жесткий контакт. При этом методе зазор между шаблоном и пластиной еще меньше благодаря поддуву азота под пластиной. Пластина прижимается плотней к шаблону и разрешение может достигать 1 микрона.

Вакуумный контакт. Может работать в режиме вакуумного контакта, позволяя достигнуть субмикронного разрешения. Для более высокого разрешения повышаются требования и к подборке фоторезиста.

Контакт с зазором. Метод контактирования gap printing позволяет производить экспонирование с зазором до 50 микрон после предварительного совмещения маски и подложки.

Область применения. Установка совмещения и экспонирования, при производстве микросхем.