Установка плазмохимического реактивно-ионного травления SPTS LPX ICP

(SPP Process Technology Systems, Великобритания, spts.com)

6

Технические характеристики

Основной блок установки предназначен для размещения модулей и комплектуется: алюминиевой рабочей камерой с портом откачки; окном для наблюдения; электродом подложкодержателя с системой нагрева до 400°С; ВЧ-источником индуктивно-связанной плазмы MKS Spectrum 13,56 МГц мощностью 1,5 кВт; системой подачи гелия под подложку, интегрированной с подложкодержателем; контуром охлаждения водой или жидким азотом интегрированной в стенки рабочей камеры; системой контроля давления (вакуумметр Пеннинга и емкостной датчик), интегрированной в стенки рабочей камеры. В состав установки также входит: система откачки камеры; блок регулировки расхода газов; лазерный интерферометр Verity Spectragraph SD 1024; система управления.

Метод. Установка обеспечивает анизотропное травление материалов, в режиме реактивно-ионного травления.

Область применения. Установка предназначена для проведения реактивно-ионного травления многослойных гетероструктур нитридов алюминия-галлия-индия на подложках лейкосапфира или карбида кремния, травление сквозных отверстий в подложках фосфида индия и арсенида галлия. Осаждение SiNx, SiO2 из газовой фазы на подложки с использованием плазменного разложения реакционного газа.