Сверхвысоковакуумная система анализа поверхности Multiprobe MXPS

Технические характеристики

Параметры комплекса:

• перемещение зонда по трем осям в диапазоне 10×10×10 мм с последовательно изменяемым шагом 40-500 нм, сканирование области 10×10×1,2 мкм, морфология поверхности с атомным разрешением;
• радиационный/токовый нагрев, LHe, LN охлаждение для достижения температурных диапазонов от 25 К до 1500 К;
• ионный источник с пятном фокусировки < 150 мкм и плотностью тока > 2 мA/см² при ускоряющем напряжении 5 кВ;
• давление остаточных газов в сверхвысоковакуумной (СВВ) камере до 3·10^-10 торр;
• рентгеновский источник Mg/Al;
• разрешение по энергии в методе РФЭС до 300 мэВ;
• область сканирования в методе РФЭС менее 60 мкм;
• разрешение по высоте в методе СТМ и АСМ < 0,01 нм;
• чувствительность по току в методах сканирующей зондовой микроскопии (СЗМ) – 1 пА;
• размер осаждаемых нанокластеров 1-15 нм с дисперсией +/- 15 %;
• диапазон анализируемых масс-спектрометром масс 2 – 1·10⁶ а.е.м., разрешение +/-2 %.

Требования к образцам: размер образцов не более 15×15×5 мм; совместимость с условиями СВВ.

Методы. Режим исследования образцов: исследование морфологии поверхности методом АСМ; исследование морфологии поверхности методом СТМ; исследование электронной структуры поверхности методом сканирующей туннельной спектроскопии (СТС); исследование элементного и химического состава методом РФЭС; исследование элементного и химического состава методом оже-электронной спектроскопии (ОЭС).

Режим формирования и in situ исследования поверхности и наноструктур: режим напыления тонких пленок и субмонослойных покрытий электронно-лучевым напылением; режим осаждения нанокластеров металлов (включая осаждение нанокластеров с сепарацией по массе).

Область применения. Наноэлектроника, нанометрология. Исследование морфологии, электронной структуры и химического состава нанокластеров металлов, углеродных волокон.