[fullwidth background_color=”” background_image=”” background_parallax=”none” enable_mobile=”no” parallax_speed=”0.3″ background_repeat=”no-repeat” background_position=”left top” video_url=”” video_aspect_ratio=”16:9″ video_webm=”” video_mp4=”” video_ogv=”” video_preview_image=”” overlay_color=”” overlay_opacity=”0.5″ video_mute=”yes” video_loop=”yes” fade=”no” border_size=”0px” border_color=”” border_style=”solid” padding_top=”50px” padding_bottom=”0px” padding_left=”0″ padding_right=”0″ hundred_percent=”no” equal_height_columns=”no” hide_on_mobile=”no” menu_anchor=”” class=”” id=””][fusion_text]

Малогабаритная вакуумная установка реактивно-ионного травления МВУ ТМ РИТ

(НИИ точного машиностроения, Россия, www.niitm.ru)[/fusion_text][separator style_type=”single” top_margin=”0″ bottom_margin=”0″ sep_color=”#2b71de” border_size=”5px” icon=”” icon_circle=”” icon_circle_color=”” width=”” alignment=”center” class=”” id=””][one_full last=”yes” spacing=”no” center_content=”no” hide_on_mobile=”no” background_color=”#ffffff” background_image=”” background_repeat=”no-repeat” background_position=”left top” hover_type=”none” link=”” border_position=”all” border_size=”1px” border_color=”#e2e2e2″ border_style=”solid” padding=”30px 30px 30px 30px” margin_top=”” margin_bottom=”” animation_type=”0″ animation_direction=”down” animation_speed=”0.1″ animation_offset=”” class=”green-border rounded-border” id=””][fusion_text]

Технические характеристики

Установка предназначена для учебных целей.

Индивидуальная обработка подложек до Ø150 мм (100×100 мм); откачка реактора до предельного разряжения 0,5 Па; поддержание стабильности ВЧ разряда в диапазоне рабочих давлений 2÷30 Па; изменение ВЧ смещения на ВЧ электроде – подложкодержателе в диапазоне от 0 до 1 000 В; регулирование и автоматическое поддержание уровня ВЧ мощности в диапазоне 30÷200 Вт; водяное охлаждение подложкодержателя.

Область применения. Установка предназначена для травления тонких диэлектрических (SiO₂, Si₂N₄) и металлических слоёв (Мо, Cr и др.), а также полупроводниковых материалов (GaAs, Si и др.) методом плазмохимического реактивно-ионного травления.[/fusion_text][/one_full][/fullwidth]