[fullwidth background_color=”” background_image=”” background_parallax=”none” enable_mobile=”no” parallax_speed=”0.3″ background_repeat=”no-repeat” background_position=”left top” video_url=”” video_aspect_ratio=”16:9″ video_webm=”” video_mp4=”” video_ogv=”” video_preview_image=”” overlay_color=”” overlay_opacity=”0.5″ video_mute=”yes” video_loop=”yes” fade=”no” border_size=”0px” border_color=”” border_style=”solid” padding_top=”50px” padding_bottom=”0px” padding_left=”0″ padding_right=”0″ hundred_percent=”no” equal_height_columns=”no” hide_on_mobile=”no” menu_anchor=”” class=”” id=””][fusion_text]

Молекулярно-лучевая эпитаксия Riber 21 T 3-5

(Riber, Франция, www.riber.com)[/fusion_text][separator style_type=”single” top_margin=”0″ bottom_margin=”0″ sep_color=”#2b71de” border_size=”5px” icon=”” icon_circle=”” icon_circle_color=”” width=”” alignment=”center” class=”” id=””][one_full last=”yes” spacing=”no” center_content=”no” hide_on_mobile=”no” background_color=”#ffffff” background_image=”” background_repeat=”no-repeat” background_position=”left top” hover_type=”none” link=”” border_position=”all” border_size=”1px” border_color=”#e2e2e2″ border_style=”solid” padding=”30px 30px 30px 30px” margin_top=”” margin_bottom=”” animation_type=”0″ animation_direction=”down” animation_speed=”0.1″ animation_offset=”” class=”green-border rounded-border” id=””][fusion_text]1-molekulyarno-luchevaya-epitaksiya-riber-21-t-3-5

Технические характеристики

Установка состоит из 3-х вакуумных камер: камера роста, камера подготовки, камера загрузки. Все камеры оснащены системами безмаслянной откачки и разделены между собой высоковакуумными затворами.

Камера роста предназначена для ведения процесса. Максимальный диаметр используемой подложки для нанесения эпитаксиальных слоев 76 мм. Предельное давление в камере не более 5·10-7 торр. Для обезгаживания камера роста оснащена парусной системой прогрева до 200°С. Держатель подложки, расположенный внутри камеры роста, снабжен системой нагрева до 750°С. Подложка может непрерывно вращаться со скоростью до 40 об/мин. Камера роста оснащена внутренней криопанелью с охлаждением жидким азотом с расходом в момент роста слоев до 50 литров в час. Имеется 5 источников молекулярных потоков, расположенных внутри камеры. Камера роста оснащена:

  • эффузионной ячейкой для галлия, индия, алюминия – объем тигля 60 см3, максимальная температура нагрева тигля 1400°С;
  • вентильным источником металлического мышьяка с крекингсистемой – объем тигля 550 см3, максимальная температура тигля 500°С, системы крекинга 1200°С.

Камера подготовки предназначена для хранения и предварительной обработки подложек. Предельное давление в камере подготовки не более 5·10-10 торр. Для обезгаживания камеры подготовки имеется наружная система нагрева до 150°С, для подготовки подложки камера оснащена внутренним нагревателем до 450°С.

Камера загрузки предназначена для шлюзования подложек в камеру подготовки. Предельное давление в камере 5·10-10 торр. Система управления контролирует процессы откачки, поддержание переменных температур и других характеристик.

Метод. Молекулярно-лучевая эпитаксия гетероструктур группы А3В5 на подложках GaAs, InP. Диаметр до 75 мм (3 дюйма).

Область применения: нано – и микроэлектроника, СВЧ электроника, сенсоры.

Получаемые опытные образцы. Гетероструктуры на подложках GaAs.[/fusion_text][/one_full][/fullwidth]