[fullwidth background_color=”” background_image=”” background_parallax=”none” enable_mobile=”no” parallax_speed=”0.3″ background_repeat=”no-repeat” background_position=”left top” video_url=”” video_aspect_ratio=”16:9″ video_webm=”” video_mp4=”” video_ogv=”” video_preview_image=”” overlay_color=”” overlay_opacity=”0.5″ video_mute=”yes” video_loop=”yes” fade=”no” border_size=”0px” border_color=”” border_style=”solid” padding_top=”50px” padding_bottom=”0px” padding_left=”0″ padding_right=”0″ hundred_percent=”no” equal_height_columns=”no” hide_on_mobile=”no” menu_anchor=”” class=”” id=””][fusion_text]

Система безмасковой лазерной литографии DWL 66FS

(Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH, Германия, www.himt.de)[/fusion_text][separator style_type=”single” top_margin=”0″ bottom_margin=”0″ sep_color=”#2b71de” border_size=”5px” icon=”” icon_circle=”” icon_circle_color=”” width=”” alignment=”center” class=”” id=””][one_full last=”yes” spacing=”no” center_content=”no” hide_on_mobile=”no” background_color=”#ffffff” background_image=”” background_repeat=”no-repeat” background_position=”left top” hover_type=”none” link=”” border_position=”all” border_size=”1px” border_color=”#e2e2e2″ border_style=”solid” padding=”30px 30px 30px 30px” margin_top=”” margin_bottom=”” animation_type=”0″ animation_direction=”down” animation_speed=”0.1″ animation_offset=”” class=”green-border rounded-border” id=””][fusion_text]

Ключевые параметры системы

Подложки до 200×200 мм². Структуры до 0,6 мкм. Вспомогательная адресная сетка до 50 нм. Множественные режимы рисования. Векторный и растровый режимы экспонирования. Наличие камеры для ориентации (совмещения). Камера искусственного климата. Сменные пишущие головки. Лазерный источник – лазерный диод (405 нм). Оптический автофокус. Множественные форматы исходных данных (DXF, CIF, GDSII, Gerber, BMP, Ascii, STL).

Методы. Система высокопрецизионной безшаблонной литографии с использованием лазерной литографии. Может использоваться для нанесения маски или прямого экспонирования на любой плоской поверхности покрытой фоторезистом. Запись рисунка выполняется с использованием растровой и сканирующей технологий. Подложки механически перемещаются под пишущей линзой в одной плоскости, пока луч сканирует в поперечном направлении. Из-за стратегии рисования экспонирование не зависит от сложности особенностей рисунка. Возможность измерения ширины, наложения и размещения рисунка.

Область применения. Применение: микронная и субмикронная литография; формирование рисунка бланков фотомасок, а также прямое формирование рисунка на подложке до 200 мм в диаметре. Создание шаблонных заготовок с различной топологией рисунка для фотолитографии. Области производства: создание транзисторов и монолитных интегральных схем; светодиоды; фотонные кристаллы; одномерные проводники. Формирования топологических структур на металлизированных фотошаблонах при производстве интегральных схем, гибридных интегральных схем, а также для формирования структур на пластине, при производстве МЭМС, БиоМЭМС, интегрированной оптики и др.[/fusion_text][/one_full][/fullwidth]