[fullwidth background_color=”” background_image=”” background_parallax=”none” enable_mobile=”no” parallax_speed=”0.3″ background_repeat=”no-repeat” background_position=”left top” video_url=”” video_aspect_ratio=”16:9″ video_webm=”” video_mp4=”” video_ogv=”” video_preview_image=”” overlay_color=”” overlay_opacity=”0.5″ video_mute=”yes” video_loop=”yes” fade=”no” border_size=”0px” border_color=”” border_style=”solid” padding_top=”50px” padding_bottom=”0px” padding_left=”0″ padding_right=”0″ hundred_percent=”no” equal_height_columns=”no” hide_on_mobile=”no” menu_anchor=”” class=”” id=””][fusion_text]

Установка контактной литографии микросхем Suss MJB4

(SUSS MicroTec, Германия, www.suss.com)[/fusion_text][separator style_type=”single” top_margin=”0″ bottom_margin=”0″ sep_color=”#2b71de” border_size=”5px” icon=”” icon_circle=”” icon_circle_color=”” width=”” alignment=”center” class=”” id=””][one_full last=”yes” spacing=”no” center_content=”no” hide_on_mobile=”no” background_color=”#ffffff” background_image=”” background_repeat=”no-repeat” background_position=”left top” hover_type=”none” link=”” border_position=”all” border_size=”1px” border_color=”#e2e2e2″ border_style=”solid” padding=”30px 30px 30px 30px” margin_top=”” margin_bottom=”” animation_type=”0″ animation_direction=”down” animation_speed=”0.1″ animation_offset=”” class=”green-border rounded-border” id=””][fusion_text]4

Технические характеристики

Экспонирование высокого разрешения – до 0,5 микрон. Размер обработки пластин и подложек – до 100 мм диаметром (пластины) и до 100×100 мм (подложки). Специальные держатели для кусков пластин, АIIIБV, толстых подложек, гибридных схем и ВЧ. Высокоточная юстировка на плоскости и манипулятора микроскопа. Возможность конфигураций оптики интенсивной УФ и экспозиций с длиной волны до 80 мВт/см2.

Система экспонирования позволяет работать на длинах волны 250, 300 и 400 нм без замены лампового блока. Разрешающая способность электронной колонны (при WD=2-10 мм) не хуже, чем 1,1 нм при 20 000 В. Минимальный размер получаемого элемента поверхности в пределах 15-20 нм.

Методы. Установка обеспечивает следующие методы контакта:

Низковакуумный. Для маленьких и хрупких подложек используется экспонирование при низковакуумном контакте. При этом виде контактирования снижается нагрузка по подложку. Достигается разрешение, превышающее параметры при мягком и жестком контакте. Мягкий контакт. При этом виде контактирования MJB4 может достигать разрешения в 2 микрона.

Жесткий контакт. При этом методе зазор между шаблоном и пластиной еще меньше благодаря поддуву азота под пластиной. Пластина прижимается плотней к шаблону и разрешение может достигать 1 микрона.

Вакуумный контакт. Может работать в режиме вакуумного контакта, позволяя достигнуть субмикронного разрешения. Для более высокого разрешения повышаются требования и к подборке фоторезиста.

Контакт с зазором. Метод контактирования gap printing позволяет производить экспонирование с зазором до 50 микрон после предварительного совмещения маски и подложки.

Область применения. Установка совмещения и экспонирования, при производстве микросхем.[/fusion_text][/one_full][/fullwidth]